半导体装置

摘要

本发明提供一种半导体装置，包括一受保护元件，位于一基板之一受保护元件区中；一静电放电功率箝制元件，位于上述基板之一防护环区中，且包围上述受保护元件，上述静电放电功率箝制元件包括一第一防护环和一第二防护环，上述第一防护环包括一第一井区，其具有上述第一导电类型；一第一掺杂区和一第二掺杂区，位于上述第一井区中，上述第一掺杂区和上述第二掺杂区分别具有上述第一导电类型和一第二导电类型；上述第二防护环包括一第二井区，其具有上述第二导电类型；一第三掺杂区，位于上述第二井区中，其具有上述第二导电类型。