| 摘要 |
一种适于用作储存单元的半导体装置(300)，其包括：一半导体本体(302)，其具有一顶表面及一底表面；一顶部闸极电介质(145)，其位于该半导体本体顶表面(302)之上；一导电顶部闸极电极(161)，其位于该顶部闸极电介质(145)之上；一底部闸极电介质(106)，其位于该半导体本体(302)底表面之下；一导电底部闸极电极(108)，其位于该底部闸极电介质(106)之下；及一电荷捕获层(104)。该电荷捕获层(104)包括复数个浅电荷陷阱(104)，相邻于该半导体本体之顶或底表面。该电荷捕获层(104)可具有氧化铝、氮化矽或矽奈米簇。该电荷捕获层(104)可位于该半导体本体(302)之该底部闸极电介质(106)及该底表面之间。 |
