| 摘要 |
本发明铜柱-锡凸块系一种形成于半导体晶片上的铜柱-锡凸块。该铜柱-锡凸块包括形成于晶片上的铜层；以及覆盖该铜层的整个上部与侧部的锡层。本发明铜柱-锡凸块之制造方法可以在半导体晶片上形成铜柱-锡凸块，包括下列步骤：在该晶片上形成第一铜层的步骤；在该第一铜层上涂敷光阻的步骤；在该光阻内部中形成铜柱的部位进行曝光及显影的步骤；在该显影后的光阻部位形成铜柱的步骤；在该铜柱的上部形成锡层的步骤；清除该光阻的步骤；在该铜柱的外部及该铜柱所在区域以外的区域清除该第一铜层的步骤；在该铜柱的外部形成锡层的步骤。可以透过光阻曝光作用形成的微细图案减少铜柱-锡凸块之节距，而且只要进行一次光阻图案化制程就能形成高密度封装。本发明利用低电阻减少了寄生电阻成份，有效地降低了因寄生电阻而引起的信号延迟现象，使得构成机械压力吸收层的底部填充胶(Underfill)能更加容易地渗透。 |
