多晶片堆叠结构及其制法

摘要

一种多晶片堆叠结构及其制法，系将包含有复数第一晶片之第一晶片组以阶状方式接置于一晶片承载件上，并于该第一晶片组最顶层之第一晶片上接置第二晶片，以透过焊线使该第一及第二晶片电性连接至该晶片承载件，再利用胶膜包线技术(Film over Wire, FOW)将一第三晶片间隔一绝缘胶膜堆叠于该第一及第二晶片上，并使该绝缘胶膜包覆该第一晶片组最顶层之第一晶片部分焊线端及至少部分第二晶片，且透过焊线电性连接该第三晶片及晶片承载件，藉以避免知将平面尺寸远小于第一晶片之第二晶片直接堆叠于复数第一晶片上时，增加整体结构高度及焊线作业困难度问题。