发明名称 抗电磁波之薄膜结构
摘要 本发明系揭露一种抗电磁波之薄膜结构,其包含一金属膜及一可挠性高分子(基底)层,特别是一种利用真空溅镀技术在可挠性高分子(基底)层上以堆叠金属原子之方式,形成一连续之金属膜以部分面积或完全覆盖住可挠性高分子(基底)层,即可以较薄之厚度有效降低因电磁波所造成的电磁干扰(EMI)及无线电干扰(RFI)的问题,其电磁屏蔽效率更可达99.99999%以上,几乎可完全遮蔽电磁波。
申请公布号 TW200924632 申请公布日期 2009.06.01
申请号 TW096144203 申请日期 2007.11.21
申请人 宏远兴业股份有限公司 发明人 叶清来;李国维
分类号 H05K9/00(2006.01) 主分类号 H05K9/00(2006.01)
代理机构 代理人 杨长峰
主权项
地址 台南县山上乡明和村256号