| 摘要 |
提供藉由抑制金属氧化膜与挟持其上下的绝缘膜之间的相互扩散，来提升使用金属氧化膜作为电荷储存膜的非挥发性记忆格之电荷保持特性的技术。记忆格MCl具备之电荷保持用绝缘膜(4)，系由自半导体基板(1)之通道区域侧起，依序形成有底部绝缘膜(4a)、金属氧化膜构成之电荷储存膜(4c)、及顶部绝缘膜(4e)的积层膜构成，藉由对底部绝缘膜(4a)进行电浆氮化处理，于底部绝缘膜(4a)中之上面侧形成具有峰值、氮浓度为1原子％以上的氮化区域(4b)，该氮化区域(4b)之厚度为0.5nm以上、1.5nm以下，氮浓度之峰值设为5原子%以上、40原子%以下，氮浓度之峰值位置设为自底部绝缘膜(4a)之上面起2nm以内。依此而抑制底部绝缘膜(4a)与电荷储存膜(4c)间之相互反应。 |
