制造结晶矽、薄膜电晶体及太阳能电池之方法

摘要

本发明包含数种可晶化非晶矽的方法。一包含导电膜（其中至少有一导电层与待晶化非晶矽（a-Si）层热接触）的结构系暴露于一交变或变化磁场。该导电膜较容易被该交变或变化磁场加热，接着，它会加热该非晶矽膜以及使其结晶同时基板可保持够低的温度以避免基板损伤或弯曲。该方法可应用于许多半导体元件（包含薄膜电晶体与太阳能电池）的制造。