半导体装置及其制造方法

摘要

于本发明之一实施例中，一半导体装置包含：P型基板上的光二极体、形成于该P型基板上的NPN电晶体、设置在NPN电晶体正下方并埋置于P型基板中的N#sP!+#eP!型埋入区、及形成于N#sP!+#eP!型埋入区中的P#sP!+#eP!型埋入区。