静态随机存取记忆体及其制造方法

摘要

一种静态随机存取记忆体，此静态随机存取记忆体至少包括：多个电晶体，设置于基底上，其中每一电晶体至少包括闸极、闸极介电层、源极掺杂区与汲极掺杂区，并且在源极掺杂区中，部份的源极掺杂区用以连接至Vss电压或Vdd电压；以及自行对准金属矽化层，设置于闸极、源极掺杂区与汲极掺杂区上，其中在用以连接至Vss电压、Vdd电压的源极掺杂区上未设置自行对准金属矽化层。