低蚀刻性较厚光阻清洗液

摘要

本发明揭露一种低蚀刻性并适用于清洗较厚光阻之清洗液，包含氢氧化钾、二甲基亚　、苯甲醇以及乙醇胺。本发明之清洗液可以用于除去金属、金属合金或电介质基材上的光阻以及其他残留物，能够适用于较厚(如厚度大于100微米)光阻的清洗，同时对于铜等金属具有较低的蚀刻速率，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。