| 摘要 |
一种半导体晶片，其具有一个或更多彼此分开，但功能上相连系之动态阵列部。各动态阵列部符合动态阵列构造，动态阵列构造要求导电性特征部必须沿着半导体晶片之复数阶层中之各阶层之虚儗格栅而线性形成。各虚拟格栅系垂直于上一阶层或是下一阶层之虚拟格栅。各虚拟格栅系由以固定节距分开的平行线之架构形成。虚拟格栅中的某些线会被多个导电性特征部占用。在占用虚拟格栅之共同线之相邻的导电性特征部之最接近端点之间保持实质上均匀的间隙。在被多个导电性特征部占用的虚拟格栅之各线之内可保持相邻的导电性特征部之最接近端点之间的均匀间隙。 |
