| 发明名称 |
氧化铟系透明导电膜及其制造方法 |
| 摘要 |
本发明是有关一种透明导电膜，其系使用具备有含有氧化铟与锡、同时相对于铟1莫耳含有0.00001莫耳以上不足0.10莫耳钡之氧化物烧结体之溅镀靶而成膜为非晶形膜之透明导电膜，其特征为含有氧化铟与锡同时含有钡，且系在水之分压为1.0×10#sP!-4#eP!Pa以上1.0×10#sP!-1#eP!Pa下之条件下成膜者。 |
| 申请公布号 |
TW200923112 |
申请公布日期 |
2009.06.01 |
| 申请号 |
TW097138492 |
申请日期 |
2008.10.03 |
| 申请人 |
三井金属业股份有限公司 MITSUI MINING ＆ |
发明人 |
高桥诚一郎;宫下德彦;池田真 |
| 分类号 |
C23C14/08(2006.01);H01B5/14(2006.01) |
主分类号 |
C23C14/08(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪武雄;陈昭诚 |
| 主权项 |
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| 地址 |
日本 |
