铜阳极或含磷之铜阳极、半导体晶圆之电镀铜方法及粒子覆着少之半导体晶圆

摘要

一种半导体晶圆之电镀铜所使用之铜阳极或含磷之铜阳极，其特征在于，铜阳极或不计磷之含磷之铜阳极的纯度在99.99wt％以上，且杂质之矽之含量在10wtppm以下。提供一种电镀铜方法、电镀铜用含磷之铜阳极、及具备有使用该等经电镀铜而形成之粒子附着少之铜层的半导体晶圆，该电镀铜方法，于进行电镀铜时，可有效率地防止粒子附着于被镀敷物，特别是半导体晶圆。