发明名称 |
具原射线源之半导体光源及发光转换元件 |
摘要 |
一种半导体光源,包括:主要辐射源(1),其在半导体光源操作时发出主电磁辐射(5);以及光转换模组(2),由该主要辐射源(1)发出之主要辐射(5)之至少一部份入射至光转换模组(2)中。此光转换模组(2)包含一光转换元件(6),其藉由至少一发光材料而吸收第一波长范围之主要辐射(5)且发出第二波长范围的次要辐射(15)。光转换元件(6)是与该主要辐射源(1)相隔开而配置在一冷却体(3)上。光转换模组(2)具有一反射面(7,71,72),其将经由该光转换元件(6)而未被吸收之主要辐射(5)反射回到光转换元件(6)中及/或将次要辐射(15)反射回到该光转换元件(6)的光发出面(601)之方向中。 |
申请公布号 |
TW200923244 |
申请公布日期 |
2009.06.01 |
申请号 |
TW097136432 |
申请日期 |
2008.09.23 |
申请人 |
欧斯朗奥托半导体股份有限公司 |
发明人 |
阿佛列雷尔;休伯特欧特;柯斯丁彼得森;威史楚斯;桑克托兹;法兰克鲍曼 |
分类号 |
F21K2/00(2006.01);F21V7/00(2006.01);F21V29/00(2006.01);F21V9/16(2006.01) |
主分类号 |
F21K2/00(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
何金涂;丁国隆 |
主权项 |
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地址 |
德国 |