| 摘要 |
本发明提供一种半导体装置之制造方法，其系简易之制造方法，且尽管将步骤数之增加抑制于最小限度，仍可防止金属向半导体基板中扩散。前述半导体装置之制造方法系于半导体基板1之外周部依次成膜有：具有防止金属扩散功能之第1材料膜2与第2材料膜3、及对第1药液之蚀刻率充分迟缓于第1材料膜2，且对第2药液之蚀刻率充分迟缓于第2材料膜3之第3材料膜4。其后，形成沟构造后，使埋入用绝缘膜6成膜，进行平坦化处理。其后，利用第2药液将主面侧之第2材料膜3以湿蚀刻去除，至主面侧形成之第1材料膜2露出为止，再利用第1药液将主面侧之第1材料膜2以湿蚀刻去除，至半导体基板面露出于主面侧为止。 |
