摘要 |
L'invention concerne un procédé de transfert d'une couche (5) en un premier matériau sur un deuxième substrat (7) en un deuxième matériau, comportant :a) une étape de formation d'un premier plan de fragilisation (4) dans un premier substrat (6) en premier matériau, par une première implantation ionique et/ou atomique (3) à travers une première face (2) dudit substrat,b) une étape de formation d'un deuxième plan de fragilisation (4') dans ledit premier substrat (6), par une première implantation ionique et/ou atomique (3') à travers une deuxième face (2') dudit substrat, afin de réduire une courbure de ce premier substrat,c) une étape d'assemblage des premier et deuxième substrats (6, 7),d) une étape de séparation d'une couche du premier substrat au niveau du premier plan de fragilisation (4), sans séparation au niveau du deuxième plan de fragilisation.
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