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Método para obtener un láser de pozo cuántico de InGaAs/GaAs (10) sobre un sustrato de silicio (15.1), comprendiendo el método las siguientes etapas: - formación de un sustrato virtual de germanio (15) sobre el sustrato de silicio (15.1) por medio de un proceso de deposición química en fase de vapor asistida por plasma de baja energía (LEPECVD), mediante el cual dicho sustrato virtual de germanio (15) comprende una capa (15.3; 15.4) de germanio puro, teniendo dicha capa de germanio (15.3; 15.4) un grosor entre 0,5 µm y 5 µm, - formación de una estructura de arseniuro de galio sobre el sustrato virtual de germanio (15) por medio de un proceso de deposición química organometálica en fase de vapor, comprendiendo dicho proceso de deposición química organometálica en fase de vapor - una etapa inicial para la formación de una primera capa de arseniuro de galio (16; 21) sobre dicho sustrato virtual de germanio (15) a una primera temperatura del sustrato (Ts1), - una segunda etapa para la formación de una segunda capa de guía de onda de arseniuro de galio (17) a una segunda temperatura del sustrato (Ts2), siendo dicha segunda temperatura del sustrato (Ts2) mayor que dicha primera temperatura del sustrato (Ts1), y siendo dicha primera capa de arseniuro de galio (16; 21) más delgada que dicha segunda capa de arseniuro de galio (17) y, - etapas subsiguientes para la formación de una estructura de láser activo que comprende una capa guía de onda de arseniuro de galio (12) que embebe un pozo cuántico (11).
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