| 摘要 |
提供一种FinFET以及一种制造该显示器的方法。一FinFET可以包括至少一主动鳍片、该至少一闸极绝缘层图案、一第一电极图案、一第二电极图案以及至少一对源极/汲极扩张区。该至少一主动鳍片可以形成于一基板之上。该至少一闸极绝缘层图案可以形成于该至少一主动鳍片之上。该第一电极图案可以形成于该至少一闸极绝缘层图案之上。再者，该第一电极图案可以与该至少一主动鳍片交叉。该第二电极图案可以形成于该第一电极图案之上。再者，该第二电极图案可以有比该第一电极图案的宽度为更大的宽度。该等至少一对源极/汲极扩张区可以形成于该第一电极图案的二侧之上的该至少一主动鳍片的表面之上。因而，该FinFET可以具有改善的容量以及降低的GIDL电流。 |
