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Ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements weist das Bereitstellen eines Halbleitersubstrats (102) auf, das eine erste Oberfläche (121) und eine zweite Oberfläche (122) aufweist, die zu der ersten Oberfläche (121) gegenüberliegend angeordnet ist. Das Halbleitersubstrat (102) umfasst mehrere Grabenstrukturen (103), die sich von der ersten Oberfläche (121) in das Halbleitersubstrat (102) erstrecken. Die Dicke des Halbleitersubstrats (102) wird dann durch Entfernen von Halbleitermaterial an der zweiten Oberfläche (122) verringert, um eine bearbeitete zweite Oberfläche (122') mit freigelegten Unterseitenabschnitten (126) der Grabenstrukturen (103) zu erzielen. Mindestens eine in Bezug zu den Unterseitenabschnitten (126) der Grabenstrukturen selbstjustierten erste Maske (131) wird auf der bearbeiteten zweiten Oberfläche (122') ausgebildet, und Dotierungsbereiche (116) werden in dem Halbleitersubstrat (102) zwischen den Grabenstrukturen (103) ausgebildet.
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