| 摘要 |
本发明系关于一种半导体装置之制造方法，藉以在双镶嵌制程中不必因链孔周围之反应副产品而形成环状栅，进而可防止造成后续的金属间隙填充缺陷，并可防止出现装置故障。其中，这种制造方法，系包含；于层间绝缘层中形成通孔，藉以曝露出底部抗反射涂层；于此通孔内填入第一材料；移除此第一材料之一部分；于此第一材料之上方形成氧化膜，藉以重新填充此通孔；透过对此层间绝缘层及氧化膜进行蚀刻，藉以形成沟槽；透过移除此通孔中底部抗反射涂层以上的第一材料，藉以使该通孔开放；对此底部抗反射涂层进行蚀刻，藉以曝露出金属导线；以及于开放的通孔与沟槽中填入金属。 |
