| 摘要 |
本发明揭示诸如涉及具有改良之电荷保留特性之记忆体单元装置的方法及装置之方法及装置。在一或多个实施例中，提供一具有一由相邻沟槽(122)之侧壁(121)所界定之活动区域(120)的记忆体单元。介电材料之一层经毯覆式沈积于该记忆体单元上，且经蚀刻以在活动区域(120)之侧壁(121)上形成间隔物(132)。介电材料(140)形成于该活动区域(120)上，一电荷收集结构(150)形成于该活动区域(120)之上的该介电材料(140)上，且一控制闸极(170)形成于该电荷收集结构(150)上。在一些实施例中，该电荷收集结构(150)包括奈米点。在一些实施例中，间隔物(132)之宽度系在分离该电荷收集材料与该活动区域(120)之一上表面的该介电材料(140)之厚度的约130％与约170％之间。 |
