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经营范围
发明名称
半导体装置及其制造方法
摘要
提供了一半导体装置,其具有基板、以覆晶方式安装在基板上的半导体晶片,及设置在基板与半导体晶片间空隙的堆叠薄膜。此堆叠薄膜是由覆盖在基板表面的保护薄膜,与成形于阻焊剂薄膜与半导体晶片间的底部填充胶薄膜组成。保护薄膜在其与底部填充胶薄膜接触的接触面上被粗糙化。
申请公布号
TW200917380
申请公布日期
2009.04.16
申请号
TW097136824
申请日期
2008.09.25
申请人
NEC电子股份有限公司
发明人
石堂仁则
分类号
H01L21/52(2006.01);H01L21/60(2006.01);H01L21/00(2006.01)
主分类号
H01L21/52(2006.01)
代理机构
代理人
周良谋;周良吉
主权项
地址
日本
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