Vertikaldiode unter Verwendung von Silizium, ausgebildet durch selektives epitaxiales Aufwachsen

摘要

Einige Ausführungsformen betreffen eine Vorrichtung, die das Auftreten einer Vertikaldiodenaktivität zwischen einem halbleitenden Körper und einem epitaxialen Film zeigt, der über einem Dotierungsgebiet des halbleitenden Körpers angeordnet ist. Einige Ausführungsformen enthalten eine Vorrichtung, die sowohl eine Vertikal- als auch Lateraldiodenaktivität verursacht. Einige Ausführungsformen enthalten eine gategesteuerte Vertikaldiode für eine Halbleitervorrichtung mit Steg. Zu Prozessausführungsformen zählen die Formation einer Vertikaldiodenvorrichtung.