| 摘要 |
本发明揭示一种非挥发记忆体装置，其经组态以藉由提供一足够高之写入电流而提高一写入操作之可靠性且同时减小一读取操作中之电流消耗。该非挥发记忆体装置包括一具有复数个非挥发记忆体单元之记忆体单元阵列。一全域位元线及一区域位元线耦接至复数个该等非挥发记忆体单元。该区域位元线具有第一及第二节点。包括第一及第二位元线选择电路，其中该第一位元线选择电路经耦接至该区域位元线之该第一节点，且该第二位元线选择电路经耦接至该区域位元线之该第二节点。该第一及该第二位元线选择电路在一第一周期期间进行操作以将该区域位元线电连接至该全域位元线，且该第一及该第二位元线选择电路之仅一者在一第二周期期间进行操作以将该区域位元线电连接至该全域位元线。 |
