发明名称 简并预烧测试与高温测试之晶片封装制程
摘要 揭示一种简并预烧测试与高温测试之晶片封装制程,一或复数个晶片系设置于一基板条之一或复数个基板单元,该基板条系具有复数个电镀线断路区,以使不同基板单元之间的外接垫为电性隔离。进行电性连接与封胶之步骤之后,进行一封胶后烘烤,同时进行预烧测试之步骤,若需要高温测试亦可于此步骤进行。因此,该些晶片在基板条等级便已提前完成预烧测试在封装切割形成之前并与封胶后烘烤步骤合并,故能缩短后续测试时间。
申请公布号 TW200917400 申请公布日期 2009.04.16
申请号 TW096137594 申请日期 2007.10.05
申请人 力成科技股份有限公司 发明人 方立志;范文正
分类号 H01L21/66(2006.01);H01L21/60(2006.01) 主分类号 H01L21/66(2006.01)
代理机构 代理人 许庆祥
主权项
地址 新竹县湖口乡新竹工业区大同路26号