发明名称 METODO DE PROYECCION POR PLASMA.
摘要 <p>Método para la producción de un sistema de capas termoaislante (3a, 4, 1, 5) sobre un sustrato metálico (2) o cuerpo base (3), en el que el sistema de capas comprende al menos una capa de aislamiento térmico (1) estructurada de forma anisótropa, que presenta corpúsculos alargados (10), caracterizado porque la capa de aislamiento térmico (1) se aplica por un método de película delgada LPPS, en el que se aplica por pulverización un material de recubrimiento en forma de un chorro de polvo sobre una superficie de un sustrato metálico (2), donde el material de recubrimiento contiene componentes de cerámica de óxido y que, con una presión de proceso baja, que comprende entre 50 y 2000 Pa, particularmente entre 100 y 800 Pa, se inyecta mediante un gas de transporte en un plasma que desfocaliza el chorro de polvo y en ese lugar se funde parcialmente o completamente y se genera un plasma con una entalpía especifica lo suficientemente alta, donde el gas de proceso para la generación del plasma es una mezcla de gases inertes con un flujo de gas total en el intervalo de 30 a 150 SPLM y la entalpía específica del plasma se genera por emisión de una potencia eficaz, que se sitúa en el intervalo de 40 a 80 kW y se tiene que determinar empíricamente, de tal forma que una parte sustancial, que comprende al menos el 5% en peso del material de recubrimiento, se transforma a la fase vapor y sobre el sustrato (2) se genera una capa de aislamiento térmico (1) estructurada de forma anisótropa, donde en esta capa de aislamiento térmico (1), corpúsculos alargados (10), que forman una microestructura anisótropa, están orientados esencialmente de forma vertical con respecto a la superficie del sustrato y zonas de transición (11, 12) de poco material delimitan los corpúsculos entre sí.</p>
申请公布号 ES2316727(T3) 申请公布日期 2009.04.16
申请号 ES20030706200T 申请日期 2003.03.18
申请人 SULZER METCO AG 发明人 BARBEZAT, GERARD;REFKE, ARNO;LOCH, MICHAEL
分类号 C23C4/12 主分类号 C23C4/12
代理机构 代理人
主权项
地址