动态随机存取记忆体元件包

摘要

一动态随机存取记忆体元件包(DRAM cell)，包括基板、电晶体、以及电容。基板系为半导体材料所构成，具有一主体表面；电晶体形成于主体表面；电容，形成于一金属层，且金属层位于电晶体之上方。电晶体包括源极区域、汲极区域、以及控制闸极。源极区域及汲极区域形成于基板的主体表面，控制闸极位于源极区域与汲极区域之间，控制闸极与基板之间以一薄控制介电层相隔。电容包括第一电极、形成于第一电极上之介电层、以及形成于介电层上之第二电极。此动态随机存取记忆体元件包可提高密度，简化制程。一形成于复数层金属层之动态随机存取记忆体元件包亦在此揭露。