发明名称 | 半导体电容结构及其布局图案 | ||
摘要 | 本发明系提供一种由一第一电容与一第二电容所组成的金属-氧化层-金属电容结构,其具有复数个对称分支区段,沿着复数个环状轮廓形成相互叉合的结构,具有最佳化的几何对称性,因此能得到较佳的电容匹配效果,并具有较高的单位电容值,且在该半导体电容结构中可以根据不同需求来调整该第一电容以及该第二电容之间的电容值比值。本发明之金属-氧化层-金属电容结构不需要使用额外的光罩,制程费用较便宜,另外由于半导体制程的进步,因此可叠加数目相当大的金属层,且因金属层之间的距离也变得愈来愈小,所以可得到愈来愈高的单位电容值。 | ||
申请公布号 | TW200917460 | 申请公布日期 | 2009.04.16 |
申请号 | TW096137824 | 申请日期 | 2007.10.09 |
申请人 | 瑞昱半导体股份有限公司 | 发明人 | 叶达勋;康汉彰 |
分类号 | H01L27/04(2006.01) | 主分类号 | H01L27/04(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 许锺迪 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学园区创新二路2号 |