非挥发性记忆胞、ＮＡＮＤ型非挥发性记忆体及其制造方法

摘要

一种非挥发性记忆胞的制作方法。首先，在基底上依序形成绝缘层、第一导体层、闸间绝缘层、第二导体层以及硬罩幕层。然后，图案化硬罩幕层、第二导体层、闸间绝缘层与第一导体层，以形成堆叠闸极结构。之后，移除堆叠闸极结构两旁的基底上之绝缘层，直至曝露出基底表面。随后，于所曝露出的基底上形成磊晶材料层。接着，进行一离子植入制程，于基底中形成一掺杂区，以及使磊晶材料层转变成一掺杂磊晶材料层。