| 摘要 |
一种电浆处理装置系具有：基板平台，其系配置有处理对象基板；电浆生成部，其系利用天线阵列来生成电浆；气体放射部，其系具备设于上述天线阵列的上方之具有复数的气体放射口的气体放射板；第1气体供给部，其系以能够从上述气体放射板的复数的气体放射口的一部份来朝向上述基板平台的表面放射而通过上述天线元件的表面之方式，供给第1原料气体；及第2气体供给部，其系以能够从上述气体放射板的复数的气体放射口的其他部份来朝向上述基板平台的表面放射而通过上述天线元件的间隙之方式，供给第2原料气体。第1原料气体，系于被暴露于天线元件时，不产生附着物，或附着量比上述第2原料气体更少。藉此，可使成膜速度提升的同时，抑止粒子的发生。 |
