ＩＩＩ族氮化物半导体发光装置

摘要

本发明关于III族氮化物半导体发光装置，更具体而言，系关于可藉由提供厚度超过100埃之未掺杂氮化镓层于ｎ侧接触层以帮助电流分布和改善静电放电特性之III族氮化物半导体发光装置。