Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung desselben

摘要

Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement (1) und ein Verfahren zur Herstellung desselben. Dazu weist das Halbleiterbauelement (1) eine erste Elektrode (7) und eine zweite Elektrode (8), die auf Oberflächen eines Halbleiterkörpers (10) angeordnet sind, sowie eine isolierte Gateelektrode (9) auf. Der Halbleiterkörper (10) weist in einer Zwischenoxidschicht (12) einen Kontaktlochgraben (40) für die erste Elektrode (7) auf. In Randbereichen (13) der Sourceanschlusszone (11) sind hochdotierte Zonen (14) eines ersten Leitungstyps angeordnet. Unterhalb der hochdotierten Zonen (14) des ersten Leitungstyps sind hochdotierte Bereiche (15) einer Bodyzone (16) mit komplementärem Leitungstyp angeordnet. In einem Mittenbereich (17) der Sourceanschlusszone (11) weist die Bodyzone (16) eine netto Ladungsträgerkonzentration mit komplementärem Leitungstyp auf, die geringer ist als die Ladungsträgerkonzentration in den Randbereichen (13) der Sourceanschlusszone (11).