记忆体驱动方法及半导体储存装置

摘要

此揭示内容系关于一种驱动一记忆体之方法，该记忆体包括记忆体单元、位元线及字线，各记忆体单元具有一源极、一汲极及一浮动主体，该方法包含执行一再新操作以用于复原该等记忆体单元之第一逻辑资料之劣化以及该等记忆体单元之第二逻辑资料之劣化，其中在该再新操作中，当在该浮动主体处的一电位大于一临界值时，注入该浮动主体内的该等载子之数目大于从该浮动主体所释放之该等载子之数目，且当在该浮动主体处的电位小于该临界值时，注入该浮动主体内的该等载子之数目小于从该浮动主体所释放之该等载子之数目。