| 摘要 |
本发明系在同一晶片内具备肖特基障壁二极体之半导体装置及其制造技术中，使可靠性提高。本发明之特征为具有：形成于p型之半导体基板1的主面S1上之n型的n井区域w1n；形成于其中之一部分的杂质浓度比n井区域w1n高的n型阴极区域nCa1；环状地包围其所形成之p型保护环区域pg；一体地覆盖n型阴极区域nCa1与p型保护环区域pg，且分别电性连接地形成之阳极导体膜EA；在p型保护环区域pg之外侧，隔以分离部2所形成之n型阴极导通区域nCb；及覆盖其且电性连接地形成之阴极导体膜EC；且肖特基连接阳极导体膜EA与n型阴极区域nCa1。 |
