摘要 |
Es wird ein Herstellungsverfahren für ein Siliziumkarbid-Halbleitersubstrat mit einer verringerten Grundebenenversetzungsdichte in einer Siliziumkarbid-Epitaxieschicht beschrieben. Zwischen der Siliziumkarbid-Epitaxieschicht, die zur Ausbildung von Bauteilen vorgesehen ist (d.h. der Driftschicht) und einem Basissubstrat aus einem Siliziumkarbid-Einkristallwafer wird durch epitaktisches Aufwachsen eine sehr wirksame Versetzungs-Umwandlungsschicht angeordnet, die Grundebenenversetzungen im Siliziumkarbid-Einkristallwafer beim Übergang der Versetzungen in die epitaktisch aufgewachsene Schicht wirkungsvoll in Stufenversetzungen umwandelt. Ermöglicht wird dies durch eine Donatorkonzentration in der Versetzungs-Umwandlungsschicht, die kleiner ist als die Donatorkonzentration in der Driftschicht.
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