发明名称 Halbleitersubstrat aus Siliziumkarbid und Halbleiterelement mit einem solchen Substrat
摘要 Es wird ein Herstellungsverfahren für ein Siliziumkarbid-Halbleitersubstrat mit einer verringerten Grundebenenversetzungsdichte in einer Siliziumkarbid-Epitaxieschicht beschrieben. Zwischen der Siliziumkarbid-Epitaxieschicht, die zur Ausbildung von Bauteilen vorgesehen ist (d.h. der Driftschicht) und einem Basissubstrat aus einem Siliziumkarbid-Einkristallwafer wird durch epitaktisches Aufwachsen eine sehr wirksame Versetzungs-Umwandlungsschicht angeordnet, die Grundebenenversetzungen im Siliziumkarbid-Einkristallwafer beim Übergang der Versetzungen in die epitaktisch aufgewachsene Schicht wirkungsvoll in Stufenversetzungen umwandelt. Ermöglicht wird dies durch eine Donatorkonzentration in der Versetzungs-Umwandlungsschicht, die kleiner ist als die Donatorkonzentration in der Driftschicht.
申请公布号 DE102008037357(A1) 申请公布日期 2009.04.16
申请号 DE200810037357 申请日期 2008.08.12
申请人 HITACHI CABLE LTD. 发明人 OHNO, TOSHIYUKI;YOKOYAMA, NATSUKI
分类号 H01L29/06 主分类号 H01L29/06
代理机构 代理人
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