Verfahren zur Herstellung einer Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung

摘要

Es ist eine Aufgabe von der Erfindung, ein Verfahren zum Herstellen von einer Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung bereitzustellen, welche konstante Eigenschaften mit reduzierten Schwankungen in Durchlasskennlinien hat. Das Verfahren zum Herstellen von der Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung gemäß der Erfindung enthält die Schritte: (a) Vorbereiten eines Siliziumkarbid-Substrats; (b) Ausbilden von einer Epitaxieschicht auf einer ersten Hauptoberfläche von dem Siliziumkarbid-Substrat; (c) Ausbilden von einem Schutzfilm auf der Epitaxieschicht; (d) Ausbilden von einer ersten Metallschicht auf einer zweiten Hauptoberfläche von dem Siliziumkarbid-Substrat; (e) Anwenden von einer Wärmebehandlung auf das Siliziumkarbid-Substrat bei einer vorbestimmten Temperatur, um eine Ohmsche Verbindung zwischen der ersten Metallschicht und der zweiten Hauptoberfläche von dem Siliziumkarbid-Substrat auszubilden; (f) Entfernen des Schutzfilms; (g) Ausbilden von einer zweiten Metallschicht auf der Epitaxieschicht; und (h) Anwenden von einer Wärmebehandlung auf das Siliziumkarbid-Substrat bei einer Temperatur von 400°C bis 600°C, um eine Schottky-Verbindung von gewünschten Eigenschaften zwischen der zweiten Metallschicht und der Epitaxieschicht auszubilden.