| 摘要 |
本发明为一种具缓冲层之晶圆结构，系包含：具有至少一焊垫之晶圆，晶圆上设有保护层(passivation)，且暴露出该至少一焊垫，保护层及焊垫上设有缓冲层，缓冲层上设有凸块下金属层(UBM，under bump metallurgy)。该缓冲层包含有一铝制成之加厚的内缓冲层，形成于于凸块下金属层与焊垫之间，以增强晶圆在掉落试验(drop test)时的吸震能力，避免发生用以与基板接合的导电凸块掉落且脆裂的状况，并能加强导电凸块与凸块下金属层的接合能力。该缓冲层可以另外包含有一聚亚醯胺材质的外缓冲层，设于该保护层上而部份地位于该凸块下金属层与该保护层之间。 |
