有机金属前驱物、具该前驱物的薄膜、包含该薄膜的金属绕线、形成薄膜的方法以及使用该方法制造金属绕线的方法

摘要

本发明揭露可用于制造半导体装置之有机金属前驱物、具有所述有机金属前驱物之薄膜、包含所述薄膜之金属绕线、形成薄膜之方法以及制造金属绕线之方法。可将包含中心金属、硼氢化物配位体以及用于降低有机金属前驱物之极性之胺配位体的有机金属前驱物提供于基板上，且可使其热分解以在基板上形成薄膜。可以恒定流动速率将具有降低之极性的有机金属前驱物提供至反应室，且因此可改良半导体制造过程之稳定性及/或效率。