发明名称 | 一种记忆体的制造方法 | ||
摘要 | 一种记忆体的制造方法,首先提供一基材,其上分别包含水平相邻之控制闸极区与浮动闸极区,浮动闸极区包含牺牲层与牺牲侧壁层。其次,移除牺牲层与牺牲侧壁层以暴露出基材。然后,形成与控制闸极区邻接之介电侧壁。接着,于暴露出的基材上形成浮动闸极介电层。以及,形成位于浮动闸极介电层上并与介电侧壁邻接之浮动闸极层。 | ||
申请公布号 | TW200917424 | 申请公布日期 | 2009.04.16 |
申请号 | TW096136925 | 申请日期 | 2007.10.02 |
申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 蔡鸿明;萧清南;黄仲麟 |
分类号 | H01L21/8247(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 许锺迪 | |
主权项 | |||
地址 | 桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 |