发明名称 一种记忆体的制造方法
摘要 一种记忆体的制造方法,首先提供一基材,其上分别包含水平相邻之控制闸极区与浮动闸极区,浮动闸极区包含牺牲层与牺牲侧壁层。其次,移除牺牲层与牺牲侧壁层以暴露出基材。然后,形成与控制闸极区邻接之介电侧壁。接着,于暴露出的基材上形成浮动闸极介电层。以及,形成位于浮动闸极介电层上并与介电侧壁邻接之浮动闸极层。
申请公布号 TW200917424 申请公布日期 2009.04.16
申请号 TW096136925 申请日期 2007.10.02
申请人 南亚科技股份有限公司 发明人 蔡鸿明;萧清南;黄仲麟
分类号 H01L21/8247(2006.01) 主分类号 H01L21/8247(2006.01)
代理机构 代理人 许锺迪
主权项
地址 桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号
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