于半导体基板上形成三族氮化物半导体层的方法

摘要

本发明为一种于半导体基板上形成三族氮化物半导体层的方法。首先，提供一半导体基板，其半导体基板上具有一清洁表面；再形成一氮化镓奈米柱缓冲层；覆盖成长形成一氮化镓磊晶层于氮化镓奈米柱缓冲层上，藉以形成三族氮化物半导体层于半导体基板上。