| 摘要 |
Es wird ein vertikales und grabenisoliertes Gate-MOS-Halbleiterbauelement zur Verfügung gestellt, bei dem in mehreren Bereichen, die jeweils zwischen benachbarten von mehreren geradlinigen Gräben 13 vorgesehen sind, die parallel angeordnet sind und eine Oberflächenstruktur mit mehreren geraden Linien bilden, Folgendes enthalten ist: mehrere erste Zwischen-Gräben-Oberflächenbereiche, in denen jeweils die Oberflächen von p-Basisbereichen 12, auf denen jeweils ein n-Emitterbereich 16 und ein p+-Bodybereich 17 ausgebildet sind, und die Oberflächen von Bereichen jeweils mit einem Teil eines n-Halbleitersubstrats 11 abwechselnd entlang dem Graben 13 in dessen Längsrichtung angeordnet sind, wobei eine Emitterelektrode 19 in gemeinsamem Kontakt mit den Oberflächen des n-Emitterbereichs 16 und des p+-Bodybereichs 17 ist; und mehrere zweite Zwischen-Gräben-Oberflächenbereiche, die jeweils entlang dem Graben 13 in dessen Längsrichtung mit der Oberfläche des p-Basisbereichs 12 oder der Oberfläche des n-Halbleitersubstrats ausgebildet sind. Dadurch wird ein grabenisoliertes Gate-MOS-Halbleiterbauelement mit einem niedrigen Einschaltwiderstand, einer hohen Stromdichte und einem hohen Durchschlagsperrvermögen bereitgestellt, die eine Sprungspannung beim Ausschalten unterdrücken können.
|
