发明名称 乾式蚀刻制程
摘要 一种乾式蚀刻制程,适用于蚀刻一膜层,使膜层于蚀刻后在不同的区域形成不同的图案密度,膜层上已形成有一层图案化的罩幕层。在对此膜层进行蚀刻步骤之前,先进行充电步骤,使带正电之多个离子附着于膜层裸露出之表面。
申请公布号 TW200917357 申请公布日期 2009.04.16
申请号 TW096136907 申请日期 2007.10.02
申请人 南亚科技股份有限公司 发明人 刘经楷
分类号 H01L21/3065(2006.01) 主分类号 H01L21/3065(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号