发明名称 | 乾式蚀刻制程 | ||
摘要 | 一种乾式蚀刻制程,适用于蚀刻一膜层,使膜层于蚀刻后在不同的区域形成不同的图案密度,膜层上已形成有一层图案化的罩幕层。在对此膜层进行蚀刻步骤之前,先进行充电步骤,使带正电之多个离子附着于膜层裸露出之表面。 | ||
申请公布号 | TW200917357 | 申请公布日期 | 2009.04.16 |
申请号 | TW096136907 | 申请日期 | 2007.10.02 |
申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 刘经楷 |
分类号 | H01L21/3065(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 |