发明名称 MOS管开关电容积分电路
摘要 本发明公开了一种MOS管开关电容积分电路,P型MOS管M1、M2、M3及M4一起组成Cascode电流镜结构,M3的源极与电源相连,M3的栅极与M2的栅极相连,M3的漏极与M4的源极相连;M4的栅极与M1的栅极相连,M4的漏极与参考电流源lref的输出端相连;M2的源极与电源相连,M2的漏极与M1的源极相连;M1的漏极接输出端;P型MOS管M1、M2、M3、M4的衬底均与电源连接,开关K的两端分别与M1的栅极和M4的栅极相连,或者开关K的两端分别与M3的栅极和M4的漏极连接。本发明极大程度的提高了输出精度;在不改变电路结构的前提下,它既可以作为线性DAC使用,也可以作为非线性DAC使用,而且可以实现任意的转换精度;它既可以用于电压驱动,也可以用于电流驱动。
申请公布号 CN101409546A 申请公布日期 2009.04.15
申请号 CN200810231674.7 申请日期 2008.10.10
申请人 西安理工大学 发明人 吴兰;余宁梅
分类号 H03K17/687(2006.01)I 主分类号 H03K17/687(2006.01)I
代理机构 西安弘理专利事务所 代理人 罗 笛
主权项 1、一种MOS管开关电容积分电路,P型MOS管M1、M2、M3、M4组成Cascode电流镜结构,M3的源极与电源相连,M3的栅极和M2的栅极相连,M3的漏极与M4的源极相连,M3的栅极与M4的漏极相连;M4的漏极与参考电流源lref的输出端相连;M2的源极与电源相连,M2的漏极与M1的源极相连M1的漏极与输出端相连;P型MOS管M1、M2、M3、M4的衬底均与电源连接,其特征在于:开关K1的两端分别与M1的栅极和M4的栅极相连。
地址 710048陕西省西安市金花南路5号