发明名称 |
快闪存储器件及其制造方法 |
摘要 |
本发明涉及一种快闪存储器件及其制造方法,快闪存储器件通过采用能带隙的组合的高介电常数(k)层来降低漏电流以在目标厚度内获得期望的耦合比。该快闪存储器件包括:隧道绝缘层,形成在半导体衬底上;第一导电层,形成在该隧道绝缘层上;高介电常数(k)层,具有第一、第二和第三高k绝缘层的堆叠结构并且形成在该第一导电层上;和第二导电层,形成在该高k层上。第一高k绝缘层具有第一能带隙,第二高k绝缘层具有大于第一能带隙的第二能带隙,第三高k绝缘层具有小于第二能带隙的第三能带隙。 |
申请公布号 |
CN101409309A |
申请公布日期 |
2009.04.15 |
申请号 |
CN200810149327.X |
申请日期 |
2008.09.19 |
申请人 |
海力士半导体有限公司 |
发明人 |
朱光哲 |
分类号 |
H01L29/788(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/788(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 |
代理人 |
刘继富;顾晋伟 |
主权项 |
1.一种快闪存储器件,包括:形成在半导体衬底上的隧道绝缘层;形成在所述隧道绝缘层上的第一导电层;形成在所述第一导电层上的高介电常数(k)层,其包括第一高k绝缘层、第二高k绝缘层和第三高k绝缘层的堆叠结构,其中所述第一高k绝缘层具有第一能带隙,所述第二高k绝缘层具有大于所述第一能带隙的第二能带隙,所述第三高k绝缘层具有小于所述第二能带隙的第三能带隙;和形成在所述高k层上第二导电层。 |
地址 |
韩国京畿道利川市 |