发明名称 快闪存储器件及其制造方法
摘要 本发明涉及一种快闪存储器件及其制造方法,快闪存储器件通过采用能带隙的组合的高介电常数(k)层来降低漏电流以在目标厚度内获得期望的耦合比。该快闪存储器件包括:隧道绝缘层,形成在半导体衬底上;第一导电层,形成在该隧道绝缘层上;高介电常数(k)层,具有第一、第二和第三高k绝缘层的堆叠结构并且形成在该第一导电层上;和第二导电层,形成在该高k层上。第一高k绝缘层具有第一能带隙,第二高k绝缘层具有大于第一能带隙的第二能带隙,第三高k绝缘层具有小于第二能带隙的第三能带隙。
申请公布号 CN101409309A 申请公布日期 2009.04.15
申请号 CN200810149327.X 申请日期 2008.09.19
申请人 海力士半导体有限公司 发明人 朱光哲
分类号 H01L29/788(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I 主分类号 H01L29/788(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 刘继富;顾晋伟
主权项 1.一种快闪存储器件,包括:形成在半导体衬底上的隧道绝缘层;形成在所述隧道绝缘层上的第一导电层;形成在所述第一导电层上的高介电常数(k)层,其包括第一高k绝缘层、第二高k绝缘层和第三高k绝缘层的堆叠结构,其中所述第一高k绝缘层具有第一能带隙,所述第二高k绝缘层具有大于所述第一能带隙的第二能带隙,所述第三高k绝缘层具有小于所述第二能带隙的第三能带隙;和形成在所述高k层上第二导电层。
地址 韩国京畿道利川市