浮栅闪存场效应晶体管

摘要

本发明提供了一种浮栅闪存场效应晶体管，属于微电子半导体技术领域。该浮栅闪存场效应晶体管包括：源区、漏区、体以及顶栅，顶栅由多晶硅控制栅和浮栅组成，浮栅与控制栅、浮栅与体之间均设有栅氧，在顶栅的对而增加设置一背栅，背栅为掺杂的单晶硅，该背与体固定连接，形成P-N结。本发明将浮栅闪存场效应晶体管器件的顶栅的两个作用分开，用含有浮栅的顶栅单独存储数据，可避免发生为了抑制泄漏电流而不得不减弱存储数据能力的情形；用掺杂的单晶硅作为背栅，控制器件的泄漏电流，可满足90纳米以下闪存场效应晶体管器件结构的设计要求。

主权项

1、一种浮栅闪存场效应晶体管，包括：源区、漏区、体以及顶栅，顶栅是由多晶硅控制栅和浮栅组成，浮栅与多晶硅控制栅、浮栅与体之间均设有栅氧，其特征在于：浮栅与体通过栅氧连接，在顶栅的对面增加设置一背栅，背栅为掺杂的单晶硅，背栅与体固定连接，形成P-N结，背栅与浮栅之间的间距控制在顶栅的长度的1/3～1范围。