| 发明名称 | 氮化物半导体发光器件及其制备方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种氮化物半导体发光器件，包括：衬底；在衬底上形成的第一缓冲层；在第一缓冲层上形成的含铟第二缓冲层；在第二缓冲层上形成的含铟第三缓冲层；在第三缓冲层上形成的第一氮化物半导体层；在第一氮化物半导体层上形成的有源层；和在有源层上形成的第二氮化物半导体层。根据本发明，晶体缺陷得到进一步抑制，使得有源层的结晶度得到提高，并且光功率和可靠性也得到提高。 | ||
| 申请公布号 | CN100479206C | 申请公布日期 | 2009.04.15 |
| 申请号 | CN200580041803.0 | 申请日期 | 2005.12.05 |
| 申请人 | LG伊诺特有限公司 | 发明人 | 李昔宪 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 蔡胜有;刘继富 |
| 主权项 | 1、一种氮化物半导体发光器件，包括：衬底；在所述衬底上形成的第一缓冲层；在所述第一缓冲层上形成的含铟第二缓冲层；在所述第二缓冲层上形成的含铟第三缓冲层并且铟含量逐渐减少；在所述第三缓冲层上形成的第一氮化物半导体层；在所述第一氮化物半导体层上形成的有源层；和在所述有源层上形成的第二氮化物半导体层。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||