一种体硅MOS晶体管的制作方法

摘要

本发明提供了一种体硅MOS晶体管结构及其制作方法。该体硅MOS晶体管，包括一栅电极，一栅介质层，一对栅电极侧墙介质层，一半导体体区，一源区和一漏区；栅电极位于栅介质层之上；栅介质位于半导体体区之上；半导体件区在栅电极两端的部分分别与源区和漏区相连；晶体管的源漏区的下方各有一绝缘层，绝缘层在结构上与栅电极是自对准的。在制备工艺上，绝缘层是通过填充栅电极两侧的硅槽形成，硅槽是通过自对准腐蚀栅电极两侧的体硅形成，源区和漏区是通过外延或CVD方法形成。本发明的MOS晶体管结构集SOI器件和体硅器件的优点子一体，同时消除或大大改善了SOI器件和体硅器件的主要缺点。

主权项

1.一种体硅MOS晶体管的制作方法，所述的体硅MOS晶体管包括一栅电极，一栅介质层，一对栅电极侧墙介质层，一半导体体区，一源区和一漏区；所述栅电极位于栅介质层之上；所述栅介质位于半导体体区之上；所述半导体体区在栅电极两端的部分分别与所述源区和漏区相连，其特征在于，所述晶体管的源漏区的下方各有一绝缘层，所述绝缘层在结构上与所述栅电极是自对准的，包括以下步骤：(1)在衬底上形成浅槽隔离场区；(2)生长栅介质层；(3)淀积栅电极层和牺牲介质层，接着光刻和刻蚀形成栅电极图形；(4)淀积牺牲侧墙介质层，回刻后在栅电极两侧形成侧墙，且使两侧体硅表面露出；(5)腐蚀所露出的体硅以形成硅槽；(6)淀积一氧化硅层，经化学机械抛光后腐蚀淀积的氧化硅至栅电极的介质侧墙的底部附近；(7)腐蚀掉栅电极两侧和顶部的牺牲介质层后再淀积或热氧化生长形成另一厚度为5～20nm的介质层；(8)离子注入掺杂栅电极和栅电极两侧的体区部分，然后回刻上述薄介质层以形成新的栅电极侧墙；(9)生长一半导体层，并经化学机械抛光处理，然后腐蚀该半导体层到希望的厚度；(10)完成自对准硅化物制作，淀积钝化层，开接触孔以及金属化，即可制得所述的体硅MOS晶体管及其集成电路。