| 发明名称 | 制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种制造半导体器件的方法，该方法防止杂质进入SOI基板。激发包括从氢气、氦气、或卤素气体中选择的一种或多种气体的源气体以产生离子，并且将这些离子添加到接合基板，由此在接合基板中形成了形成了易碎层。然后，通过蚀刻、抛光等，除去接合基板的表面上和其附近的区域，即从比易碎层浅的位置到其表面这一区域。接下来，在将接合基板粘贴到底部基板之后，在易碎层处分离接合基板，由此，在底部基板上形成半导体膜。在底部基板上形成半导体膜之后，利用该半导体膜形成半导体元件。 | ||
| 申请公布号 | CN101409214A | 申请公布日期 | 2009.04.15 |
| 申请号 | CN200810166515.3 | 申请日期 | 2008.10.09 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 大沼英人;饭漥阳一;山崎舜平 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 侯颖媖 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，包括：通过向接合基板添加离子，在接合基板中形成易碎层；除去接合基板的一区域，所述区域是从比易碎层浅的位置到接合基板的表面；以及将接合基板粘贴到底部基板，然后，在易碎层处分离接合基板，由此，在底部基板上形成半导体膜。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||