| 发明名称 | 等离子体掺杂装置 | ||
| 摘要 | 为了实现稳定的低浓度掺杂的等离子体掺杂装置，具备真空容器，将气体输入上述真空容器内的供气装置，从上述真空容器内排出气体的排气装置，将上述真空容器内的压力控制在规定压力的调压阀，在上述真空容器内放置试样的试样电极，等离子体产生装置，将高频功率供给上述等离子体发生装置的高频电源，将高频功率供给上述试样电极的高频电源，供给上述等离子体发生装置或上述试样电极的高频功率的行进波功率为Pf、反射波功率为Pr时、以1毫秒～100毫秒的间隔采集功率差Pf-Pr的值的取样器，在上述功率差Pf-Pr按时间积分的值达到预先设定的值的时间点停止供给高频功率的控制装置，以及装有作为2个可变阻抗器件的环形磁芯的等离子体发生装置用匹配电路，通过该匹配电路控制等离子体发生工序和掺杂工序之间的压力条件。 | ||
| 申请公布号 | CN100479101C | 申请公布日期 | 2009.04.15 |
| 申请号 | CN200710111993.X | 申请日期 | 2003.09.30 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 奥村智洋;中山一郎;水野文二;佐佐木雄一朗 |
| 分类号 | H01L21/223(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I;H05H1/46(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/223(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 沙永生 |
| 主权项 | 1、等离子体掺杂装置，其特征在于，具备真空容器，将气体输入上述真空容器内的供气装置，从上述真空容器内排出气体的排气装置，将上述真空容器内的压力控制在规定压力的调压阀，在上述真空容器内放置试样的试样电极，等离子体产生装置，将高频功率供给上述等离子体发生装置的高频电源，将高频功率供给上述试样电极的高频电源，供给上述等离子体发生装置或上述试样电极的高频功率的行进波功率为Pf、反射波功率为Pr时、以1毫秒～100毫秒的间隔采集功率差Pf-Pr的值的取样器，在上述功率差Pf-Pr按时间积分的值达到预先设定的值的时间点停止供给高频功率的控制装置，以及装有作为2个可变阻抗器件的环形磁芯的等离子体发生装置用匹配电路，通过该匹配电路控制等离子体发生工序和掺杂工序之间的压力条件。 | ||
| 地址 | 日本国大阪府门真市 | ||