照射激光的方法、激光照射装置和半导体器件的制造方法

摘要

在半导体器件制作工艺中，如用连续振荡激光器进行半导体膜退火，虽可能制作出特性好的元件，但由能被半导体膜充分吸收的波长区的激光形成的射束点的尺寸极小。因此如用椭圆形的光束扫描半导体膜，结晶性缺陷区所占比例就增大，这样不能安置TFT的区域占的比例增大，在高集成化上就有问题。本发明是提供尽量减少在半导体膜上形成的结晶性缺陷区域的激光照射装置、照射激光的方法、及半导体器件制造方法。本发明在半导体膜上照射基波作为谐波的辅助以抑制结晶性缺陷区域的形成，并形成长晶粒区域。照射表面包括被基波的射束点的能量密度高的部分照射了的二次谐波的射束点的能量密度低的部分。

主权项

1.一种激光照射装置，包括：第一激光振荡器，用于输出具有可见光波长或者具有短于可见光波长的第一连续波激光束；处理装置，用来在被照表面将所述第一连续波激光束整形成具有椭圆形或矩形的长光束，其中所述长光束至少包括第一部分和第二部分，并且所述第一部分比所述第二部分能量密度低；第二激光振荡器，用于输出第二激光束的基波；照射装置，用来将所述第二激光束的基波照射到所述长光束中能量密度较低的所述第一部分；移动装置，用来使所述被照表面在第一方向上相对于所述长光束和第二激光束相对移动；以及移动装置，用来使所述被照表面在第二方向上相对于所述长光束和第二激光束相对移动。